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图6Frank位错的结构及形成[7]位错与溶质的相互作用机制有：款电弹性相互作用、款电模量相互作用、层错相互作用、电相互作用、短程序相互作用和长程序相互作用。正如Frank所说，应裙材料如同人一样，因其缺陷而有趣（Materialsarelikepeople,theyareinterestingbytheirdefects）。

图5 F.C.Frank[7]位错的类型主要包括刃型位错、推出螺型位错和混合位错三种。（4）弱束暗场像技术观察晶体缺陷的精细结构，款电提高常规衍衬分析的水平。当位向差较大时，应裙归为大角度晶界，应裙通常采用Brandon提出的重合位置点阵（CSL，CoincidenceSiteLattice）模型，是一个涉及到几个原子层厚的匹配-错配结构，还有一些其他的晶界模型，如平面匹配模型、旋错模型和O点阵理论等。

晶体中形成层错时几乎不引起点阵畸变，推出而只是晶体中的正常周期性和对称性发生了改变。其中，款电Frank位错沿着111方向插入或者抽出一层原子面而形成层错，属于只能攀移而不能滑移的特殊位错，结构与形成如图6所示。

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